E VO 5N Series Bifacial modules รวมเอาเทคโนโลยี N-type TOPCon ชั้นนำ, ซิลิคอนเวเฟอร์ 182 มม. และครึ่งเซลล์ อายุการใช้งาน 30 ปีทำให้ผลิตไฟฟ้าได้เพิ่มขึ้น 10-30% เมื่อเทียบกับโมดูล P-type ทั่วไป โมดูลแบบแบ่งครึ่งเซลล์สองหน้าชนิด N ของ SunEvo สามารถเข้าถึงช่วงเอาต์พุตพลังงานระหว่าง 605W ถึง 625W
ยี่ห้อ:
SunEvoช่วงพลังงาน :
605W~625Wประสิทธิภาพสูงสุด. :
22.36%จำนวนเซลล์ :
156 (6×26)ขนาดของโมดูล L*W*H :
2465 x 1134 x 30mmน้ำหนัก :
34.5kgsกระจกหน้า :
2.0mm coated semi-tempered glassกระจกมองหลัง :
2.0mm semi-tempered glassกรอบ :
Anodized aluminium alloyกล่องแยก :
Ip68 rated (3 bypass diodes)สายเคเบิล :
4mm² , 300mm (+) / 300mm (-), Length can be customizedปริมาณลม/หิมะ :
5400Paตัวเชื่อมต่อ :
MC4 compatibleสองหน้า :
80±5%E VO 5N N-type TOPCon 156 ครึ่งเซลล์605W 610W 615W 620W 625W Bifacial Dual Glass โมดูลพลังงานแสงอาทิตย์
E VO 5N Series Bifacial modules รวมเทคโนโลยี N-type TOPCon ชั้นนำ, ซิลิคอนเวเฟอร์ 182 มม. และครึ่งเซลล์ อายุการใช้งาน 30 ปีทำให้ผลิตไฟฟ้าได้เพิ่มขึ้น 10-30% เมื่อเทียบกับโมดูล P-type ทั่วไป โมดูลแบบแบ่งครึ่งเซลล์สองหน้าชนิด N ของ SunEvo สามารถเข้าถึงช่วงเอาต์พุตพลังงานระหว่าง 605W ถึง 625W
พารามิเตอร์ทางไฟฟ้า (STC*)
กำลังไฟสูงสุด (สูงสุด/วัตต์) |
605 |
610 |
615 |
620 |
625 |
แรงดันไฟสูงสุด (Vmp/V) |
45.63 |
45.76 |
45.90 |
46.03 น |
46.16 น |
กระแสไฟฟ้าสูงสุด (Imp/A) |
13.26 น |
13.33 น |
13.40 น |
13.47 น |
13.54 น |
แรงดันวงจรเปิด (Voc/V) |
55.30 น |
55.41 น |
55.53 น |
55.64 |
55.75 |
กระแสไฟฟ้าลัดวงจร (Isc/A) |
13.97 น |
14.04 น |
14.11 น |
14.18 น |
14.25 น |
ประสิทธิภาพของโมดูล (%) |
21.64 น |
21.82 น |
22.00 น |
22.18 น |
22.36 น |
ความทนทานต่อกำลังขับ (W) |
0/+5วัตต์ |
||||
ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิของ Isc |
+0.045%/°ซ |
||||
ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิของ Voc |
-0.250%/°ซ |
||||
ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิของ Pmax |
-0.290%/°ซ |
5% | กำลังไฟสูงสุด (สูงสุด/วัตต์) | 635 | 641 | 646 | 651 | 656 |
ประสิทธิภาพของโมดูล STC(%) | 22.73 น | 22.91 น | 23.10 น | 23.29น | 23.48 น | |
15% | กำลังไฟสูงสุด (สูงสุด/วัตต์) | 696 | 702 | 707 | 713 | 719 |
ประสิทธิภาพของโมดูล STC(%) | 24.89 น | 25.10 น | 25.30 น | 25.51 น | 25.71 น | |
25% | กำลังไฟสูงสุด (สูงสุด/วัตต์) | 756 | 763 | 769 | 775 | 781 |
ประสิทธิภาพของโมดูล STC(%) | 27.05 น | 27.28 น | 27.50 น | 27.73 น | 27.95 น |
1. พื้นผิว
ส่วนพื้นผิว (ทั้งหมด 6 บรรทัด) รวมถึงในทางกลับกัน
การทำความสะอาดล่วงหน้า
ล้างน้ำบริสุทธิ์ก่อนกำมะหยี่
พื้นผิว*3
ล้างน้ำบริสุทธิ์หลังกำมะหยี่
หลังจากทำความสะอาด
หลังจากล้างแล้วให้ล้างด้วยน้ำบริสุทธิ์
การดอง
ล้างน้ำบริสุทธิ์หลังจากการดอง
ดึงช้าก่อนขาดน้ำ
การทำให้แห้ง*5 เป็นต้น
2. การแพร่กระจายของโบรอน
จุดประสงค์ของกระบวนการแพร่คือการสร้างจุดเชื่อมต่อ PN บนแผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนเพื่อให้เกิดการแปลงพลังงานแสงเป็นพลังงานไฟฟ้า อุปกรณ์การผลิตทางแยก PN เป็นเตาแพร่ โครงการนี้ใช้ก๊าซโบรอนไตรคลอไรด์เพื่อกระจายซิลิคอนเวเฟอร์ในเตาแพร่ อะตอมของโบรอนจะกระจายเข้าไปในซิลิคอนเวเฟอร์และก่อตัวเป็นชั้นของแก้วโบโรซิลิเกตบนพื้นผิวของเวเฟอร์ซิลิคอน สมการปฏิกิริยาหลักคือ:
4BCl3+3O2→2B2O3+6Cl2↑
2B2O3+3Si→3SiO2+4B
3. การเติมซ้ำด้วยเลเซอร์ SE
เทคโนโลยีการเติมด้วยเลเซอร์คือการเติมสารหนักบนส่วนสัมผัสของเส้นกริดโลหะ (อิเล็กโทรด) และเวเฟอร์ซิลิคอน ในขณะที่คงสารสลบแบบเบา (สารสลบที่มีความเข้มข้นต่ำ) ไว้ด้านนอกอิเล็กโทรด การแพร่ล่วงหน้าจะดำเนินการบนพื้นผิวของซิลิคอนเวเฟอร์โดยการแพร่กระจายด้วยความร้อนเพื่อสร้างการเติมแสง ในเวลาเดียวกัน พื้นผิว BSG (แก้วโบโรซิลิเกต) ถูกใช้เป็นแหล่งสารกระตุ้นหนักด้วยเลเซอร์ในท้องถิ่น ด้วยเอฟเฟกต์ความร้อนเฉพาะที่ของเลเซอร์ อะตอมใน BSG จะกระจายตัวอย่างรวดเร็วไปยังซิลิคอนเวเฟอร์เป็นครั้งที่สองเพื่อก่อตัวเป็นบริเวณที่มียาสลบหนักเฉพาะที่
4. โพสต์ออกซิเดชัน
เมื่อพื้นผิวของซิลิคอนเวเฟอร์ได้รับการบำบัดด้วยเลเซอร์ SE ชั้นออกไซด์บนพื้นผิวการแพร่กระจายของโบรอน (พื้นผิวที่ตกกระทบด้วยแสง) จะถูกทำลายโดยพลังงานเฉพาะจุดของเลเซอร์ ในระหว่างการขัดผิวด้วยด่างและการแกะสลัก จำเป็นต้องใช้ชั้นออกไซด์เป็นชั้นมาสก์เพื่อปกป้องพื้นผิวการแพร่กระจายของฟอสฟอรัส (พื้นผิวที่ตกกระทบแสง) ของเวเฟอร์ซิลิคอน ดังนั้นจึงจำเป็นต้องซ่อมแซมชั้นออกไซด์บนพื้นผิวที่สแกนด้วยเลเซอร์ SE
5. การสะสม POPAID ในแหล่งกำเนิด
กระบวนการ POPAID เป็นกระบวนการสำคัญสำหรับการรวมการเคลือบเพลตที่เตรียมโดยชั้นทันเนลออกไซด์และชั้นซิลิกอนเจือ
6. การหลอม
วางซิลิคอนเวเฟอร์ในหลอดปฏิกิริยาที่ทำจากแก้วควอทซ์ และหลอดปฏิกิริยาจะถูกทำให้ร้อนด้วยเตาให้ความร้อนแบบลวดต้านทานจนถึงอุณหภูมิหนึ่ง (อุณหภูมิที่ใช้กันทั่วไปคือ 900-1200°C และสามารถลดให้ต่ำกว่า 600°C ภายใต้เงื่อนไขพิเศษ) เมื่อออกซิเจนผ่านท่อปฏิกิริยา ปฏิกิริยาเคมีจะเกิดขึ้นที่ผิวของซิลิคอนเวเฟอร์:
Si (สถานะของแข็ง) + O2 (สถานะแก๊ส) → SiO2 (สถานะของแข็ง)
7. การทำความสะอาด BOE
ถังดอง*2
ล้าง
หลังการดอง (HCL/HF/DI)
ล้าง
ยกช้า
การอบแห้ง*6
8. การเคลือบด้านหน้า
หลักการพื้นฐานคือการใช้โฟโต้ดิสชาร์จความถี่สูงเพื่อสร้างพลาสมาเพื่อส่งผลต่อกระบวนการสะสมฟิล์ม ส่งเสริมการสลายตัว การรวมกัน การกระตุ้น และการแตกตัวเป็นไอออนของโมเลกุลก๊าซ และส่งเสริมการสร้างกลุ่มปฏิกิริยา
ปฏิกิริยาเคมีหลักที่เกิดขึ้นระหว่างการสะสม PECVD ของฟิล์มซิลิกอนออกซีไนไตรด์คือ:
SiH4+NH3+N2O→xSi2O2N4+N2↑+yH2↑
9. การเคลือบด้านหลัง
ปฏิกิริยาเคมีหลักที่เกิดขึ้นระหว่างการสะสม PECVD ของฟิล์มซิลิกอนออกซีไนไตรด์คือ:
SiH4+NH3+N2O→xSi2O2N4+N2↑+yH2↑
10. การทำให้เป็นโลหะ
1) การพิมพ์
ในระหว่างกระบวนการพิมพ์ สารละลายจะอยู่เหนือหน้าจอ และเครื่องขูดถูกกดลงบนหน้าจอด้วยแรงกดระดับหนึ่ง เพื่อให้หน้าจอเปลี่ยนรูปและสัมผัสกับพื้นผิวของเวเฟอร์ซิลิคอน สารละลายสัมผัสกับพื้นผิวของซิลิคอนเวเฟอร์ผ่านการอัดขึ้นรูป พื้นผิวของซิลิคอนเวเฟอร์มีแรงดูดซับสูง ซึ่งจะดึงสารละลายออกจากตาข่าย ในขณะนี้ เครื่องขูดกำลังทำงานอยู่ และลายฉลุที่ผิดรูปก่อนหน้านี้จะทำให้สารละลายตกลงบนพื้นผิวของเวเฟอร์ซิลิคอนได้อย่างราบรื่นภายใต้แรงกระทำของแรงคืนตัวที่ดี ในหมู่พวกเขา ซิลเวอร์เพสต์คือเพสต์พิมพ์ที่ทำจากเงินบริสุทธิ์สูงพิเศษและผงอะลูมิเนียมเป็นโลหะหลัก และมีสารประสานอินทรีย์และเรซินจำนวนหนึ่งเป็นสารเสริม
2) การเผา
การเผาคือการเผาแผ่นกริดหลักที่พิมพ์บนแผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนลงในเซลล์ที่อุณหภูมิสูง เพื่อให้ขั้วไฟฟ้าฝังอยู่ในพื้นผิว สร้างหน้าสัมผัสเชิงกลที่มั่นคงและการเชื่อมต่อทางไฟฟ้าที่ดี และสุดท้ายสร้างหน้าสัมผัสแบบโอห์มมิกระหว่างอิเล็กโทรดและแผ่นเวเฟอร์ซิลิคอน
3) การฉีดด้วยไฟฟ้า
หลังจากเผาเซลล์แล้ว วิธีการฉีดไฟฟ้าโดยตรงของตัวพา (การฉีดไฟฟ้ากระแสตรงแบบย้อนกลับ) จะถูกนำมาใช้เพื่อเปลี่ยนสถานะประจุของไฮโดรเจนในเนื้อซิลิกอน เพื่อให้สารเชิงซ้อนของโบรอน-ออกซิเจนที่ถูกทำให้อ่อนฤทธิ์สามารถผ่านกระบวนการและเปลี่ยนสภาพเป็นระบบนิเวศวิทยาเชิงปฏิรูปที่เสถียร และในที่สุดก็บรรลุวัตถุประสงค์ของการสลายตัวของแสง
11. ทดสอบบรรจุภัณฑ์
หลังจากผลิตเซลล์แสงอาทิตย์แล้ว พารามิเตอร์ประสิทธิภาพทางไฟฟ้าของเซลล์แสงอาทิตย์จะถูกทดสอบด้วยเครื่องมือทดสอบ (เช่น การวัดเส้นโค้ง IV และอัตราการแปลงแสง และพารามิเตอร์ทางไฟฟ้าอื่นๆ) หลังจากการทดสอบเสร็จสิ้น แบตเตอรี่จะถูกแบ่งออกเป็นหลายระดับโดยอัตโนมัติตามมาตรฐานที่กำหนด